首页>STL64DN4F7AG>规格书详情
STL64DN4F7AG中文资料汽车级N沟道40 V、7.0 mOhm典型值、64 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装数据手册ST规格书
STL64DN4F7AG规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL64DN4F7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0085
- Drain Current (Dc)_max(A)
：64
- PTOT_max(W)
：65
- Qg_typ(nC)
：9.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DFN6 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
24+ |
48000 |
询价 | |||||
ST(意法半导体) |
24+ |
PowerVDFN-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
24+ |
DFN6 |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
8-PowerVDFN |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
8-PowerVDFN |
10000 |
只做全新原装,实单来 |
询价 | ||
ST |
22+ |
30000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
询价 |
