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STL56N3LLH5	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道30 V、0.0076 Ohm典型值、56 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装; • Low on-resistance RDS(on) \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss; This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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N沟道30 V、0.0076 Ohm典型值、56 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装; • Low on-resistance RDS(on) \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.\n\n

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技术参数

Package：
PowerFLAT 5x6
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
30
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.0112
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.009
Drain Current (Dc)_max(A)：
56
PTOT_max(W)：
62.5
Qg_typ(nC)：
6.5

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