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STL60N3LLH5	文件：587.16 Kbytes Page：12 Pages	Marking：60N3LLH5；Package：PowerFLAT；N-channel 30 V, 0.0063 ?? 17 A PowerFLAT??(5x6) STripFET??V Power MOSFET Description ThisSTripFET™VPowerMOSFETtechnologyisamongthelatestimprovements,whichhavebeenespeciallytailoredtoachieveverylowon-stateresistanceprovidingalsooneofthebest-in-classfigureofmerit(FOM). Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resista	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
60N3LLH5	文件：1.8306 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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STL60N3LLH5

文件：587.16 Kbytes

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Marking：60N3LLH5；Package：PowerFLAT；N-channel 30 V, 0.0063 ?? 17 A PowerFLAT??(5x6) STripFET??V Power MOSFET

Description ThisSTripFET™VPowerMOSFETtechnologyisamongthelatestimprovements,whichhavebeenespeciallytailoredtoachieveverylowon-stateresistanceprovidingalsooneofthebest-in-classfigureofmerit(FOM). Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resista

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

60N3LLH5

文件：1.8306 Mbytes

Page：7 Pages

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
STL60N3LLH5
功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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