丝印：60N10F7；Package：PowerFLAT；N-channel 100 V, 0.0145 ??typ., 12 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 7th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. Features • Ultra low on-resistance • 100 avalanche tested Appli

文件：1.2922 Mbytes 页数：16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道100 V、0.013 Ohm典型值、12 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

该器件是采用第七代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。 • 超低导通电阻 \n• 经过100％雪崩测试;

ST

意法半导体

ST
PowerFLAT-5x5-12

ST

上传：深圳市拓亿芯电子有限公司

ST/意法
DFN5X6

ST/意法

上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司

ST
QFN8

ST

上传：深圳市赛特兴科技有限公司