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AUIRG4PH50S	文件：236.24 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ●Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PH50KD	文件：224.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PH50UD	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50K	文件：92.62 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ●Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V ●Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ●Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50KD	文件：224.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50KDPBF	文件：681.97 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50KDPBF	文件：681.01 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50KPBF	文件：372.21 Kbytes Page：7 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50KPBF	文件：327.93 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50S	文件：130.71 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=1.47V,@Vge=15V,Ic=33A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50S-EPBF	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50S-EPBF	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50SPBF	文件：232.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50SPBF	文件：228.48 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50U	文件：134.14 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •Optimizedforpowerconversion;SMPS,UPS and	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH50U	文件：358.91 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastSpeedIGBT FEATURES ·UltrafastOptimizesforhighoperatingfrequencies ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Highestefficiencyavailable ·Optimaizedforpowerconversion;UPS,SMPSandwelding	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PH50UD	文件：375.85 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.56V@IC=20A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PH50UD	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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