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IRLZ44N	文件：369.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：369.07 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLZ44N	文件：338.23 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLZ44NL	文件：178.43 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：178.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NPBF	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET HEXFET® Power MOSFET 文件：228.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NS	文件：178.43 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：178.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NSPBF	文件：336.77 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：336.77 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ44N_18	文件：338.23 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLZ44NL	文件：189.26 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：189.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NPBF	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	Advnaced Process Technology 文件：228.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NPBF_15	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	Advnaced Process Technology 文件：228.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLZ44NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
22 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
35 mΩ
ID @25°C max：
47 A
QG typ @4.5V：
32 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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