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IRLZ44NSLPBF	文件：345.9 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：345.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NSPBF	文件：345.9 Kbytes Page：11 Pages	Advnaced Process Technology 文件：345.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NSPBF_15	文件：345.9 Kbytes Page：11 Pages	Advnaced Process Technology 文件：345.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NSSLASHL	文件：189.26 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：189.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NSTRLPBF	文件：189.26 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：189.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44NSTRR	文件：189.26 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：189.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ44N	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLZ44NS	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET 55 V \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRLZ44NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
22 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
35 mΩ
ID @25°C max：
47 A
QG typ @4.5V：
32 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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