| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ID2PAK |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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原厂封装 |
9888 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IR29299 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
1126 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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VBsemi/台湾微碧D2PAK |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRNew |
33089 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
999 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
1436+ |
绝对进口原装现货可开增值税发票 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-263 |
36800 |
07+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VBSEMI/台湾微碧D2PAK |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IRC-TTTO-263-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRD2PAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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IRLZ44NSTRR图片
IRLZ44NSTRR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLZ44NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ44NSTRRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
