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IRLZ34N	文件：62.94 Kbytes Page：7 Pages	N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseinswitchedmodepower	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRLZ34N	文件：114.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34N	文件：338.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤35mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLZ34NL	文件：190.64 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NLPBF	文件：297.98 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NPBF	文件：230.31 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NS	文件：190.64 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NSPBF	文件：297.98 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34N_18	文件：338.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLZ34NPBF	文件：231.27 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NPBF	文件：230.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRLZ34NPBF_15	文件：231.27 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NS	文件：311.7 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NS	文件：191.02 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NSL	文件：191.03 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NSL	文件：191.02 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NSLPBF	文件：191.03 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NSPBF	文件：298.94 Kbytes Page：11 Pages	Fast Switching	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ34NSPBF_15	文件：298.94 Kbytes Page：11 Pages	Fast Switching	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
IRLZ34N
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET N LOGIC TO-220

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