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IRLZ34N	文件：62.94 Kbytes Page：7 Pages	N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseinswitchedmodepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRLZ34N	文件：114.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34N	文件：338.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤35mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLZ34NL	文件：190.64 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34NLPBF	文件：297.98 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34NPBF	文件：230.31 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34NS	文件：190.64 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34NSPBF	文件：297.98 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34N_18	文件：338.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLZ34NPBF	文件：231.27 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRLZ34N
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET N LOGIC TO-220

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更多IRLZ34N供应商更新时间2025-7-25 13:40:00

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