| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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IRTO252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
留言
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IRTO252 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
留言
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IRTO-252/DPAK |
45000 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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3年
留言
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IRTO252 |
10000 |
23+ |
原厂原装正品 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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1年
留言
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NK/南科功率TO-252 |
2255 |
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国产南科平替供应大量 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
3445 |
11+ |
原装进口无铅现货 |
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5年
留言
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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12年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
20300 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌原装特价IRLR014即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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IRTO-252 |
58000 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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18年
留言
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IR |
50 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
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14年
留言
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IRTO-252 |
210 |
24+ |
大批量供应优势库存热卖 |
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18年
留言
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IR |
1065 |
25+ |
公司优势库存 热卖中!! |
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8年
留言
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IRTO-252DPAK |
9000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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3年
留言
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IRTO252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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10年
留言
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IRNA |
6812 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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13年
留言
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irN/A |
6980 |
24+ |
原装现货,可开13%税票 |
IRLR014采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR014图片
IRLR014PBF价格
IRLR014PBF价格：￥1.4470品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRLR014PBF多少钱，想知道IRLR014PBF价格是多少？参考价：￥1.4470。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR014PBF批发价格及采购报价，IRLR014PBF销售排行榜及行情走势，IRLR014PBF报价。
IRLR014中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLR014A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA
IRLR014N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLR014NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014NTR功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014NTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
