Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A??

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IRF

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;

Infineon

英飞凌

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

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IRF

Logic-Level Gate Drive

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IRF

Logic-Level Gate Drive

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IRF

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

Logic-Level Gate Drive

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IRF

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体