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IRLR3103TR	文件：215.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：215.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：1.14288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.14288 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRLR3103TRPBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive 文件：292.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLRU3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：291.6 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLRU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：292.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A?? 文件：164.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

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更多IRLR3103TR供应商更新时间2026-1-22 20:01:00