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IRLU3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A??	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103	文件：247.35 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103PBF	文件：1.77739 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ITS-3103-A	文件：167.96 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS-3103-Y	文件：229.6 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3103YFK	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3103YMB	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
KSM3103	文件：636.98 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LM3103	文件：1.3239 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHERSynchronous1MHz0.75AStep-DownVoltageRegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
IRLU3103
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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