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IRLR9343TRPBF	文件：308.71 Kbytes Page：11 Pages	key parameters optimlzed for class-d audio amplifier applications 文件：308.71 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR9343TRPBF	文件：1.12137 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.12137 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRLR9343TRPBF-TP	文件：2.12093 Mbytes Page：5 Pages	丝印：LR9343；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features * Vos =60VIo =-14A Roscn 88mQ @ Vos=-10v (TYP) Rosiow 120m Q @ Vos=-4.5V (TYP) 文件：2.12093 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRLU9343	文件：245.95 Kbytes Page：10 Pages	DIGITAL AUDIO MOSFET VDS -55 V RDS(ON) typ. @ VGS = -10V 93 mΩ RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V 150 mΩ Qg typ. 31 nC TJ max 175 °C Description This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistan 文件：245.95 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLU9343	文件：1.03004 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.03004 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLU9343	文件：304.05 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：304.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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