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IRLZ44	文件：209.71 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 文件：209.71 Kbytes 页数：4 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRLZ44	文件：1.62981 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipatio 文件：1.62981 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ44	文件：885.65 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：885.65 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ44	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Logic-Level Gate Drive • RDS(on) Specified at VGS = 4V & 5V • 17 文件：169.74 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRLZ44	文件：1.81737 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.81737 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ44	文件：1.7418 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.7418 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ44	文件：1.7418 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.7418 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ44	文件：240.15 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 文件：240.15 Kbytes 页数：4 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
IRLZ44_V01	文件：885.65 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：885.65 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ44N	文件：369.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：369.07 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLZ44NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
22 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
35 mΩ
ID @25°C max：
47 A
QG typ @4.5V：
32 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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