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IRLML6402TR

HEXFET Power MOSFET

文件:140.68 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRLML6402TRPBF-TP

P-Channel Mosfet

Application « Load/Power Switching «Interfacing Switching * Logic Level Shift

文件:2.43248 Mbytes 页数:6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

IRLML6402TRPBF

Gigabit Ethernet Switch Evaluation Board

文件:2.68409 Mbytes 页数:36 Pages

MICROCHIP

微芯科技

IRLML6402TRPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:123.31 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6402TRPBF

HEXFETPower MOSFET

文件:278.64 Kbytes 页数:2 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

IRLML6402TRPBF

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.0825 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRLML6402TRPBF.

HEXFET Power MOSFET

文件:81.91 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6402TR

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

Infineon

英飞凌

IRLML6402TRPBF

场效应管

HXY MOSFET

华轩阳电子

IRLML6402TRPBF-1

采用 Micro 3 封装的 -20V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • ID/A:

    4.2

  • VDS/V:

    20

  • RDS(on)/mΩ:

    48

  • VGS/V:

    12

  • VGS(th)/V:

    0.45-1.0

  • N/P:

    P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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SOT-23
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更多IRLML6402TR供应商 更新时间2026-4-17 14:13:00