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IRG4PH50S	文件：130.71 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A) 文件：130.71 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50SPBF	文件：228.48 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：228.48 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50S-EPBF	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：225.55 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50S-EPBF	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：225.55 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50S-EPBF_15	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：225.55 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50SPBF	文件：232.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：232.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50SPBF_15	文件：232.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：232.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50S	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V DC-1 kHz（标准）分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH50S-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AD package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH50S-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 57A TO247AD	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
33.0A
IC(@25°) max：
57.0A
ICpuls max：
114.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
1.47V
Eon ：
1.8mJ
Eoff(Hard Switching) ：
19.6mJ
td(on) ：
32.0ns
tr ：
30.0ns
td(off) ：
1170.0ns
tf ：
1000.0ns
QGate ：
167.0nC
Ets (max)：
21.4mJ (44.0mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
1200.0V

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更多IRG4PH50S供应商更新时间2025-12-9 16:04:00

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