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IRG4PH50S-E数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG4PH50S-E |
| 参数属性 | IRG4PH50S-E 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 57A TO247AD |
| 功能描述 | 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AD package |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 18:00:00 |
| 人工找货 | IRG4PH50S-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PH50S-E规格书详情
应用 Application
·Air Conditioner
·Refridgeration
简介
IRG4PH50S-E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PH50S-E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRG4PH50S-E
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
：8.0kHz 30.0kHz
- Package
：TO-247
- Voltage Class max
：1200.0V
- IC(@100°) max
：33.0A
- IC(@25°) max
：57.0A
- ICpuls max
：114.0A
- Ptot max
：200.0W
- VCE(sat)
：1.47V
- Eon
：1.8mJ
- Eoff(Hard Switching)
：19.6mJ
- td(on)
：32.0ns
- tr
：30.0ns
- td(off)
：1170.0ns
- tf
：1000.0ns
- QGate
：160.0nC
- Ets (max)
：21.4mJ (44.0mJ)
- Switching Frequency
：Gen 4 8-30 kHz
- VCE max
：1200.0V
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