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IRF6611TR1

文件：260.079 Kbytes

Page：10 Pages

RoHScompliantcontainingnoleadorbromide

Description TheIRF6611combinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeomet

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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更多IRF6611TR1PBFCT供应商更新时间2024-6-15 14:00:00

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