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FDB8441

丝印:FDB8441;Package:TO-263AB;N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 120A, 2.5mΩ

Features Typ rDS(on) = 1.9mΩ at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) RoHS Compliant Applications Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Electronic Steering Integr

文件:380.26 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDB8441

丝印:FDB8441;Package:TO-263AB;N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 120A, 2.5mΩ

Features Typ rDS(on) = 1.9mΩ at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) RoHS Compliant Applications Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Electronic Steering Integr

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ONSEMI

安森美半导体

FDB8441

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:307.49 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB8441_10

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 80A, 2.5m廓

文件:462.5 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB8441_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:462.5 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    FDB8441

  • 功能描述:

    MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDB8441供应商 更新时间2026-10-25 16:30:00