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FDD8870	文件：389.14 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDD8870；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Features High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Low gate charge High power and current handling capability VDS =30V RDS(ON) (at VGS =10V) 文件：389.14 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDD8870-F085	文件：511.05 Kbytes Page：11 Pages	丝印：FDD8870；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：511.05 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FDD8870	文件：310.03 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD8870	文件：880.09 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：880.09 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FDD8870	文件：129.12 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：129.12 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8870	文件：491.42 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：491.42 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8870_08	文件：491.42 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：491.42 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8870_F085_13	文件：319.21 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 160A, 3.9m廓文件：319.21 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDD8870
功能描述：
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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