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FDMS5672	文件：668.75 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDMS5672；Package：Power56；N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 60V, 22A, 11.5mΩ Features Max rDS(on) = 11.5mΩ at VGS = 10V, ID = 10.6A Max rDS(on) = 16.5mΩ at VGS = 6V, ID = 8A Typ Qg = 32nC at VGS = 10V Low Miller Charge Optimized Efficiency at High Frequencies RoHS Compliant General Description UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark e 文件：668.75 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS5672	文件：668.75 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDMS5672；Package：Power56；N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 60V, 22A, 11.5mΩ Features Max rDS(on) = 11.5mΩ at VGS = 10V, ID = 10.6A Max rDS(on) = 16.5mΩ at VGS = 6V, ID = 8A Typ Qg = 32nC at VGS = 10V Low Miller Charge Optimized Efficiency at High Frequencies RoHS Compliant General Description UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark e 文件：668.75 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS5672	文件：523.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 60V, 22A, 11.5mohm 文件：523.63 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDMS5672	文件：541.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 文件：541.88 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDMS5672_0712	文件：541.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 文件：541.88 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FDMS5672
功能描述：
MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMS5672供应商更新时间2026-1-17 22:59:00

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