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FDP8N50NZ	文件：882.62 Kbytes Page：10 Pages	型号：FDP8N50NZ；Package：TO-220；N-Channel UniFETTM II MOSFET 500 V, 8 A, 850 m Features •RDS(on)=770m(Typ.)@VGS=10V,ID=4A •LowGateCharge(Typ.14nC) •LowCrss(Typ.5pF) •100AvalancheTested •Improvedv/dtCapability •ESDImprovedCapability •RoHSCompliant Applications •LCD/LEDTV•UninterruptiblePowerSupply •Lighting•AC-DCPower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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FDP8N50NZ

文件：882.62 Kbytes

Page：10 Pages

型号：FDP8N50NZ；Package：TO-220；N-Channel UniFETTM II MOSFET 500 V, 8 A, 850 m

Features •RDS(on)=770m(Typ.)@VGS=10V,ID=4A •LowGateCharge(Typ.14nC) •LowCrss(Typ.5pF) •100AvalancheTested •Improvedv/dtCapability •ESDImprovedCapability •RoHSCompliant Applications •LCD/LEDTV•UninterruptiblePowerSupply •Lighting•AC-DCPower

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FDP8N50NZ
功能描述：
MOSFET UNIFET2 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDP8N50NZ供应商更新时间2025-8-1 15:14:00

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