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FDS6912	文件：176.41 Kbytes Page：7 Pages	型号：FDS6912；Package：SO-8；Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS6912A	文件：387.35 Kbytes Page：6 Pages	型号：FDS6912A；Package：SOP-8；30V Dual N-Channel MOSFET Features •Fastswitchingspeed •Lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=6A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
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型号：FDS6912；Package：SO-8；Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithc

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型号：FDS6912A；Package：SOP-8；30V Dual N-Channel MOSFET

Features •Fastswitchingspeed •Lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=6A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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型号：FDS6912A；Package：SO-8；Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET

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详细参数

型号：
FDS6912
功能描述：
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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