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FDS6912A	文件：387.35 Kbytes Page：6 Pages	型号：FDS6912A；Package：SOP-8；30V Dual N-Channel MOSFET Features •Fastswitchingspeed •Lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=6A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6912A	文件：224.24 Kbytes Page：7 Pages	型号：FDS6912A；Package：SO-8；Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltagea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDS6912A

文件：387.35 Kbytes

Page：6 Pages

型号：FDS6912A；Package：SOP-8；30V Dual N-Channel MOSFET

Features •Fastswitchingspeed •Lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=6A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

FDS6912A

文件：224.24 Kbytes

Page：7 Pages

型号：FDS6912A；Package：SO-8；Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltagea

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDS6912A
功能描述：
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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