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FDS6690A

Marking:FDS6690;Package:SOP-8;30V N-Channel MOSFET

Features Fastswitchingspeed Lowgatecharge Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=11A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    FDS6690

  • 功能描述:

    MOSFET USE 512-FDS6690A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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