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FDS4435

型号:FDS4435;30V P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Applications ·Powermanagement ·Loadsw

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDS4435BZ

型号:FDS4435BZ;Package:SOP-8;-30V P-Channel MOSFET

GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

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FDS4435BZ

型号:FDS4435BZ;Package:SO-8;P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ

Features MaxrDS(on)=20mΩatVGS=-10V,ID=-8.8A MaxrDS(on)=35mΩatVGS=-4.5V,ID=-6.7A ExtendedVGSSrange(-25V)forbatteryapplications HBMESDprotectionlevelof±3.8KVtypical(note3) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) Highpowerand

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FDS4435BZ

型号:FDS4435BZ-F085;Package:SO-8;P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30V, -8.8A, 20m

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详细参数

  • 型号:

    FDS4435

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 P-CH -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDS4435供应商 更新时间2025-8-3 16:49:00