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FDS4435BZ中文资料翊欧数据手册PDF规格书

FDS4435BZ
厂商型号

FDS4435BZ

功能描述

-30V P-Channel MOSFET

丝印标识

FDS4435BZ

封装外壳

SOP-8

文件大小

429.15 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企业简称

EVVOSEMI翊欧

中文名称

翊欧半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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FDS4435BZ规格书详情

General Description

This device is well suited for Power Management and load

switching applications common in Notebook Computers and

Portable Battery Packs.

特性 Features

VDS (V) =-30V

ID = -8.8A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 20mΩ(VGS=-10V)

RDS(ON) < 35 mΩ(VGS=-4.5V)

产品属性

  • 型号:

    FDS4435BZ

  • 功能描述:

    MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
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