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FDS4435中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS4435

功能描述

P-Channel Logic Level PowerTrench?줞OSFET

文件大小

264.93 Kbytes

页面数量

5 页

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-10-13 11:41:00

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FDS4435规格书详情

General Description

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

特性 Features

• –9 A, –30 V. RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = -10 V

RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS = -4.5 V

• Low gate charge (21nC typical)

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDS4435

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 P-CH -30V

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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