FDS4435中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDS4435规格书详情
General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V).
特性 Features
• –8.8 A, –30 V RDS(ON) = 20 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4.5 V
• Low gate charge (17nC typical)
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability
Applications
• Power management
• Load switch
• Battery protection
产品属性
- 型号：
FDS4435
- 功能描述：
MOSFET SO-8 P-CH -30V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
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SOP-8 |
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FAIRCHIL |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOIC-8 |
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