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FDS4435中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS4435

功能描述

P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

文件大小

637.39 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-4-7 14:41:00

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FDS4435规格书详情

General Description

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V).

特性 Features

• –8.8 A, –30 V RDS(ON) = 20 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4.5 V

• Low gate charge (17nC typical)

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• High power and current handling capability

Applications

• Power management

• Load switch

• Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDS4435

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 P-CH -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOP8
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Fairchild/ON
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