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FDS6685	文件：369.31 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FDS6685；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET Features Lowgatecharge(17nCtypical) Fastswitchingspeed Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=-30V ID=-8.8A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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FDS6685

文件：369.31 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：FDS6685；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET

Features Lowgatecharge(17nCtypical) Fastswitchingspeed Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=-30V ID=-8.8A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
FDS6685
功能描述：
MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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