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FDS6680A	文件：408.77 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FDS6680；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features •Ultra-lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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FDS6680A

文件：408.77 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：FDS6680；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET

Features •Ultra-lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=12A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
FDS6680
功能描述：
MOSFET SO-8 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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