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FDS6680A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS6680A

功能描述

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

文件大小

102.87 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-2 12:08:00

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FDS6680A规格书详情

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

特性 Features

• 12.5 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V

• Ultra-low gate charge

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDS6680A

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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