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FDS6680AS	文件：551.45 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description The FDS6680AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6680AS includes an integrated Schottky dio 文件：551.45 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS6680AS	文件：1.01191 Mbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET 文件：1.01191 Mbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS6680AS_NL	文件：551.45 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description The FDS6680AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6680AS includes an integrated Schottky dio 文件：551.45 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS6680AS_08	文件：1.01191 Mbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET 文件：1.01191 Mbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS6680AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，11.5A，10.0mΩ FDS6680AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6680AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDS6680AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDS6680并联一个肖特基二极管的性能相似。 •11.5A, 30V\n•RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10V\n•RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（22nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关\n•高功率和高电流处理能力;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
11.5
PD Max (W)：
2.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
12.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
10
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
33
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12
Ciss Typ (pF)：
1240
Package Type：
SOIC-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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