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FDP18N50	文件：1.66296 Mbytes Page：11 Pages	型号：FDP18N50；Package：TO-220；N-Channel UniFETTM MOSFET 500 V, 18 A, 265 mΩ Description UniFETTMMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology. ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andto providebetterswitchingperformanceandhigheravalanche energystrength.Thisdevicefamilyissuitablefor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDP18N50

文件：1.66296 Mbytes

Page：11 Pages

型号：FDP18N50；Package：TO-220；N-Channel UniFETTM MOSFET 500 V, 18 A, 265 mΩ

Description UniFETTMMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology. ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andto providebetterswitchingperformanceandhigheravalanche energystrength.Thisdevicefamilyissuitablefor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDP18N50
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDP18N50供应商更新时间2025-7-31 16:22:00

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