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FDP18N50中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

FDP18N50
厂商型号

FDP18N50

功能描述

N-Channel UniFETTM MOSFET 500 V, 18 A, 265 mΩ

丝印标识

FDP18N50

封装外壳

TO-220

文件大小

1.66296 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:00:00

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FDP18N50规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET is ON Semiconductor’s high voltage

MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.

This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to

provide better switching performance and higher avalanche

energy strength. This device family is suitable for switching

power converter applications such as power factor correction

(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic

lamp ballasts.

特性 Features

• RDS(on) = 220 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A

• Low Gate Charge (Typ. 45 nC)

• Low Crss (Typ. 25 pF)

• 100 Avalanche Tested

Applications

• LCD/LED/PDP TV

• Lighting

• Uninterruptible Power Supply

产品属性

  • 型号:

    FDP18N50

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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