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FDS4141	文件：621.65 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDS4141；Package：SO-8；P-Channel PowerTrench® MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mΩ Features Max rDS(on) = 13.0mΩ at VGS = -10V, ID = -10.5A Max rDS(on) = 19.0mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8.4A High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant General Description This P-Channel MOSFET has been produced using On Semiconductor’s proprietary PowerTre 文件：621.65 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS4141	文件：621.65 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDS4141；Package：SO-8；P-Channel PowerTrench® MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mΩ Features Max rDS(on) = 13.0mΩ at VGS = -10V, ID = -10.5A Max rDS(on) = 19.0mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8.4A High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant General Description This P-Channel MOSFET has been produced using On Semiconductor’s proprietary PowerTre 文件：621.65 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS4141	文件：217.05 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -10.8A, 13.0m廓文件：217.05 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4141	文件：257.329 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -10.8A, 19.0m廓文件：257.329 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4141_F085	文件：257.329 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -10.8A, 19.0m廓文件：257.329 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDS4141
功能描述：
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS4141供应商更新时间2025-9-13 14:14:00

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