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FDS4141_F085

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40V,-10.8A,19.0mΩ

P-Channel PowerTrench® MOSFET -40 V, -10.8 A, 19.0 mΩ •典型 rDS(on) = 10.5 mΩ (VGS = -10 V、ID = -10.5 A)\n•VGS = -4.5V,ID = -8.4A时,典型rDS(on) = 14.8mΩ \n•VGS = -10V时,Qg(TOT) = 35nC(典型值)\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

FDS4141_F085

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -10.8A, 19.0m廓

文件:257.329 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDS4435

FAIRCHILD
SOP-8

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市华斯顿科技有限公司

FDS4435BZ

MOSFET
SO-8

FDS4559

ON
SOP-8

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    -40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -10.8

  • PD Max (W):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    14.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    10.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    35

  • Ciss Typ (pF):

    2005

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多FDS4141_F085供应商 更新时间2025-10-4 14:15:00