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FDMC2674	文件：326.18 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDMC2674；Package：MLP3.3X3.3；N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366mΩ Features Max rDS(on) = 366mΩ at VGS = 10V, ID = 1.0A Typ Qg = 12.7nC at VGS = 10V Low Miller charge Low Qrr Body Diode Optimized efficiency at high frequencies UIS Capability ( Single Pulse and Repetitive Pulse) RoHS Compliant General Description UltraFET device combines characte 文件：326.18 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC2674	文件：326.18 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDMC2674；Package：MLP3.3X3.3；N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366mΩ Features Max rDS(on) = 366mΩ at VGS = 10V, ID = 1.0A Typ Qg = 12.7nC at VGS = 10V Low Miller charge Low Qrr Body Diode Optimized efficiency at high frequencies UIS Capability ( Single Pulse and Repetitive Pulse) RoHS Compliant General Description UltraFET device combines characte 文件：326.18 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC2674	文件：334.18 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 文件：334.18 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMC2674	文件：228.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366m廓文件：228.35 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMC2674_07	文件：228.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366m廓文件：228.35 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMC2674_12	文件：318.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366m廓文件：318.02 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FDMC2674
功能描述：
MOSFET LOW_VOLTAGE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMC2674供应商更新时间2025-11-1 16:04:00

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