丝印：FDP085N10A；Package：TO-220；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m廓

文件：4.08856 Mbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDP085N10A；Package：TO-220；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m廓

文件：4.08856 Mbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =96A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件：332.58 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 96A, 8.5m廓

文件：325.48 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m廓

文件：4.08856 Mbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m廓

文件：298.15 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m廓

文件：298.15 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体