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FDD8896-F085	文件：553.93 Kbytes Page：12 Pages	Marking：FDD8896；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyto improvetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusing eithersynchronousorconventionalswitchingPWM controllers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,low rDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •rD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDD8896-F085

文件：553.93 Kbytes

Page：12 Pages

Marking：FDD8896；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyto improvetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusing eithersynchronousorconventionalswitchingPWM controllers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,low rDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •rD

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDD8896
功能描述：
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD8896供应商更新时间2025-7-23 18:10:00

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