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FDD9510L-F085	文件：337.4 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FDD9510L；Package：D-PAK；MOSFET - P-Channel Logic Level PowerTrench 文件：337.4 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FDD9510L	文件：352.92 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= -50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max) @VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：352.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多FDD9510L供应商更新时间2025-10-31 16:20:00