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FDD9510L-F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40 V，-50 A，13.5 mΩ P-Channel POWERTRENCH® MOSFET, -40 V, -50 A, 13.5 mΩ • Typical RDS(on) = 11 mΩ at VGS = -10V, ID = -50 A\n• Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = -10V, ID = -50 A\n•UIS Capability\n•RoHS Compliant\n• Qualified to AEC Q101;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD9510L-F085	文件：337.4 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FDD9510L；Package：D-PAK；MOSFET - P-Channel Logic Level PowerTrench 文件：337.4 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FDG328P	文件：0 bytes Page：0 Pages	Fairchild SOT363	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市创博伟业科技有限公司	Fairchild

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更多FDD9510L-F085供应商更新时间2025-10-7 16:20:00