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FDFS6N548

集成式 N 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,30V,7A,23mΩ

FDFS6N548将飞兆的PowerTrench MOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。 •VGS = 10V,ID = 7A时,最大rDS(on) = 23 mΩ\n•VGS = 4.5V,ID = 0A时,最大rDS(on) = 30 mΩ\n•VF < 0.45V (2A)\n•VF < 0.28V (100mA)\n•肖特基和MOSFET整合入单个功率表面贴装SO-8封装\n•电气独立肖特基和MOSFET引脚输出提供设计的灵活性\n•低米勒电荷;

ONSEMI

安森美半导体

FDFS6N548

Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 7A, 23mohm

文件:433.97 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDFS6N548

ON
8-SOIC

ON

FDG328P

Fairchild
SOT363

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市创博伟业科技有限公司

FDG332PZ

ON/安森美
SMD

ON/安森美

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    7

  • PD Max (W):

    2

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    9

  • Ciss Typ (pF):

    525

  • Package Type:

    SOIC-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
20+
SOP-8
120000
原装正品 可含税交易
询价
onsemi(安森美)
24+
SOP-8
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
ON
8-SOIC
65000
原装绝对有货
询价
Fairchild
24+
SO-8
7500
询价
FAIRCHILD
25+
DIP-28P
18000
原厂直接发货进口原装
询价
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
三年内
1983
只做原装正品
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FAIRCHILD
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ON
20+
SMD
11520
特价全新原装公司现货
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Fairchild
1930+
N/A
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更多FDFS6N548供应商 更新时间2025-10-12 14:00:00