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FDWS9510L-F085

P 沟道逻辑电平 Power Trench® MOSFET-40V,-50A,13.5mΩ

P-Channel Logic Level Power Trench® MOSFET -40 V, -50 A, 13.5 mΩ • Typical RDS(on) = 11 mΩ at VGS = -10V, ID = -50 A\n• UIS Capability\n• Qualified to AEC Q101\n• Wettable flanks for automatic optical inspection (AOI);

ONSEMI

安森美半导体

FDWS9510L-F085

MOSFET ??P-Channel Logic Level POWERTRENCH

文件:343.04 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDD9510L-F085

MOSFET - P-Channel Logic Level PowerTrench

文件:337.4 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDY1002PZ

FSC
SOT563

FSC

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -40

  • VGS Max (V):

    ±16

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -50

  • PD Max (W):

    75

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    null

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    23

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    13.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    28

  • Ciss Typ (pF):

    2320

  • Package Type:

    DFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDWS9510L-F085供应商 更新时间2025-10-6 16:36:00