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FDC642P-F085	文件：1.36533 Mbytes Page：9 Pages	Marking：FDC642P；Package：SSOT-6；MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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Marking：FDC642P；Package：SSOT-6；MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

FDC642P-F085P

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详细参数

型号：
FDC642P
功能描述：
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDC642P供应商更新时间2025-7-22 15:40:00

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