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FDC642P-F085P	文件：1.36533 Mbytes Page：9 Pages	Marking：FDC642P；Package：SSOT-6；MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDC642P-F085	文件：1.36533 Mbytes Page：9 Pages	MOSFET??P-Channel,POWERTRENCH-20V,-4A,100m Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Marking：FDC642P；Package：SSOT-6；MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S

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更多FDC642P-F085P供应商更新时间2025-5-18 23:00:00

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