FDC653N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription ThisN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessistailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplic

FDC653N

N 沟道增强型场效应晶体管，30V，5A，35mΩ

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。; • 5 A，30 V\n• RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V\n•专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能\n•高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)\n•出色的导通阻抗和最大DC电流能力\n;

FXT653

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR

FEATURES *100VoltVCEO *2Ampscontinuouscurrent *Lowsaturationvoltage *Ptot=1Watt

FZT653

NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR

FEATURES *Lowsaturationvoltage

FZT653

SOT223NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR

Features •BVCEO>100V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=6APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)