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FDC653N	文件：70.75 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ThisN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessistailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
653	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
BLK-E653	文件：178.99 Kbytes Page：2 Pages	DCBlock1.85mm-Fto1.85mm-M	MINIMini-Circuits 微型电路
BLK-E653+	文件：178.99 Kbytes Page：2 Pages	DCBlock1.85mm-Fto1.85mm-M	MINIMini-Circuits 微型电路
BUF653	文件：132.86 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor Features ●Simple-sWitch-OffTransistor(SWOT) ●HIGHSPEEDtechnology ●Planarpassivation ●100kHzswitchingrate ●Verylowswitchinglosses ●Verylowdynamicsaturation ●Verylowoperatingtemperature ●OptimizedRBSOA ●Highreversevoltage Applications Electroniclampballas	TemicTEMIC 杰驰电子
C653	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures
CM653	文件：220.76 Kbytes Page：1 Pages	S-8DoubleContactBayonetBase S-8DoubleContactBayonetBase S-8DoubleContactIndexBase S-11SingleContactBayonetBase	CMLCML CML
CM653	文件：33.69 Kbytes Page：1 Pages	ContactBayonetBase S-8DoubleContactBayonetBase S-8DoubleContactIndexBase S-11SingleContactBayonetBase	VCC Visual Communications Company
CN653	文件：146.92 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL
CNS653-ME	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
CNS653-MU	文件：1.41675 Mbytes Page：8 Pages	TypeBFready	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
CNS653-MU	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
CP653	文件：98.48 Kbytes Page：2 Pages	POWERFET??SILICONEPITAXIALJUNCTIONN-CHANNELFIELDEFFECTTRANSISTORS	TELEDYNE TELEDYNE
FDC653	文件：70.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessistailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FXT653	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 100VoltVCEO 2Ampscontinuouscurrent Lowsaturationvoltage Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors
FZT653	文件：96.54 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR FEATURES *Lowsaturationvoltage	Zetex Zetex Semiconductors
FZT653	文件：38.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features ●Lowsaturationvoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FZT653	文件：108.31 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features •BVCEO>100V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=6APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT653	文件：641.43 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT653Q	文件：668.52 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features •BVCEO>100V •IC=2AHighContinuousCurrent •ICM=6APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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详细参数

型号：
FDC653N
功能描述：
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FDC653N	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	SOT23-6	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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更多FDC653N供应商更新时间2024-4-26 16:36:00

详细参数

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