FDC642P-F085P中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	FDC642P-F085P
功能描述	MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m
丝印标识	FDC642P
封装外壳	SSOT-6
文件大小	1.36533 Mbytes
页面数量	9 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
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更新时间	2025-11-29 8:08:00
人工找货	FDC642P-F085P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Typ RDS(on) = 52.5 m at VGS = −4.5 V, ID = −4 A

• Typ RDS(on) = 75.3 m at VGS = −2.5 V, ID = −3.2 A

• Fast Switching Speed

• Low Gate Charge (6.9 nC Typical)

• High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)

• SUPERSOT−6 Package: Small Footprint (72 Smaller than

Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications

• Load Switch

• Battery Protection

• Power management

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