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FDC642P_F085	文件：132.99 Kbytes Page：5 Pages	FDC642P P-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET Features ■TyprDS(on)=52.5mΩatVGS=-4.5V,ID=-4A ■TyprDS(on)=75.3mΩatVGS=-2.5V,ID=-3.2A ■Fastswitchingspeed ■Lowgatecharge(6.9nCtypical) ■HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) ■SuperSOTTM-6package:smallfootprint(72smallerthanstandardSO	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC642P-F085	文件：1.36533 Mbytes Page：9 Pages	MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDC642P-F085P	文件：1.36533 Mbytes Page：9 Pages	MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDC642P_F085

文件：132.99 Kbytes

Page：5 Pages

FDC642P P-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

Features ■TyprDS(on)=52.5mΩatVGS=-4.5V,ID=-4A ■TyprDS(on)=75.3mΩatVGS=-2.5V,ID=-3.2A ■Fastswitchingspeed ■Lowgatecharge(6.9nCtypical) ■HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) ■SuperSOTTM-6package:smallfootprint(72smallerthanstandardSO

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDC642P-F085

文件：1.36533 Mbytes

Page：9 Pages

MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FDC642P-F085P

文件：1.36533 Mbytes

Page：9 Pages

MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FDC642P_F085
功能描述：
MOSFET P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDC642P_F085供应商更新时间2024-5-15 14:00:00

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